集成电路布图设计是一种工程设计，其专有权有以下两个特征：第一，集成电路的布图设计需要昂贵的设备和大量的资金，因此绝大多数设计属职务创作雇佣创作，其布图设计专有权直接归设计人所供职的法人或雇主所有。这一点反映出现代知识产权制度的新变化，例如美国专利法规定，申请专利只能是发明人(自然人)，而不是其雇主或供职的法人，然而，《美国芯片法》却规定：“……对于受雇工作范围内所创作的掩膜作品，则所有权人是指雇佣该掩膜作品创作人的雇主……” 。第二，因为集成电路布图设计是一种工程设计，故其精神权利远不如经济权利那么重要，有关专有权的条款只有经济权利的规定，而无精神权利的规定。概括起来，布图设计专有权主要有4项(全部是经济权利)：
1.复制权
复制是侵犯布图设计专有权的“源头”，没有未经许可的复制，也就不可能有其他侵权行为的发生。因此，各国法律及国际公约均将未经布图设计权利人许可，复制受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分规定为侵权行为。因为制造嵌入该布图设计的集成电路芯片属于复制行为，所以集成电路布图设计保护法一般只规定复制权，而不再规定制造权。也就是说，复制既包括掩膜复制，也保护芯片复制，即制造含有该掩膜作品的芯片。不过，复制无独创性的部分不是侵权行为。此外，反向工程中的复制属侵权例外，这一点在专有权限制部分讨论。
2.进口权、销售权、提供权
《中国集成电路条例》第三十条(二)款规定：
……有下列行为之一的，行为人必须立即停止侵权行为，并承担赔偿责任：
……(二)为商业目的进口、销售或者其他方式提供受保护的布图设计、含有布
图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品的。
上述条款包括三个层面：进口、销售或以其他方式提供该布图设计;进口销售或以其他方式提供含有该布图设计的集成电路芯片;进口销售或以其他方式提供含有该集成电路芯片的物品。
《美国芯片法》原本并无规定第三层面的专有权，《华盛顿条约》也无要求第三层面专有权的强制性规定，只是在Trips谈判时，美、日等国代表强烈要求，才将专有权延伸到第三层面。现将有关条款，摘录如下，以示对照。
《美国芯片法》第905条(2)款：
本章所保护的掩膜作品的所有权人有以下专属权或授予权：……(2)进口或行销嵌入其掩膜作品的半导体芯片产品;
《华盛顿条约》第六条(一)款：
(A) 任何缔约方应认为未经权利持有人许可而进行的下列行为是非法的：……(2)为商业目的进口、销售或者以其他方式供销受保护的布图设计(拓朴图)或者其中含有受保护的布图设计(拓朴图)的集成电路。
(B) 对于未经权利持有人许可而进行的除第(A)所述以外的其他行为，任何缔约方亦有确定其为非法的自由。
Trips第36条：
……缔约方应将未经权利及所有者同意而进行的下述行为认作是非法行为，即为了商业目的而进口、出售、或推销受到保护的布图设计，一种采用了受到保护的布图设计的集成电路，或者一种采用上述集成电路的产品，只要它仍然包括一个非法复制的布图设计。
Trips协议所界定的知识产权有7项，其中只有工艺品外观设计、专利和集成电路布图设计设置了进口权，而版权、商标等均无进口权的规定。进口权直接与知识产权“权利穷竭”理论相关联。按“权利穷竭”理论，由专利人生产或授权生产的产品(俗称“真品”)投放市场后，权利人对该产品的控制权即告“穷竭”，该产品的合法持有人对该产品有自由处分的权利，包括自由销售的权利。因此就产生了权利穷竭是在国际范围内，还是在一个经济区域内，例如在一个国家内。前者称为“国际穷竭”，后者称为“区域穷竭”或“国内穷竭”。大多数知识产权(专利、商标、工业品外观设计、集成电路等)均必须注册或申请授权后才能产生，在那些没注册或没授权的国家或地区，该项知识产权就不存在，因此第三者生产该产品就谈不上侵权。只有当该产品输出到对其享有知识产权国家或地区口岸时，其进口才是侵权行为。
这就是说，权利人可以对不是其生产又未经其授权生产的产品主张进口权。但是，权利人是否可以对自己生产或授权他人生产的产品主张进口权，这就涉及到真品的平行进口问题。笔者倾向于“国际穷竭”理论，因为“区域穷竭”与当代经济潮流“经济全球化、贸易自由化”相左。按照这样的思路，真品平行进口应“原则放行，例外禁止”，只有满足以下条件的真品才禁止平行进口：(1)权利人在进口国享有“进口权”;(2)真品来源地属于权利人特殊销售政策，该销售政策有正当的理由以低于国际市场的价格投放市场，或者进口人的进口行为属于不正当竞争;(3)真品在货物的适当位置明确标示允许流通的区域，而进口国不在该区域之内。
